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吸取电容

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吸取电容与IGBT/GTO在电路中并联利用,制止因电压渐变对IGBT/GTO形成毁伤。

 

 

使用场所

- 脉冲,谐振,吸取电容 

- 高压,高频,高电流使用

 

特点

- 0.001μF ~ 4.7μF

- 630Vdc ~ 2000Vdc

- 低消耗,高频

- 高牢靠性打仗

 

 

 

使用场所

- 脉冲,谐振,吸取电容 

- 高压,高频,高电流使用

 

特点

- 0.001μF ~ 4.7μF

- 630Vdc ~ 2000Vdc

- 低消耗,高频

- 高牢靠性打仗

- 低温>###h)

 

 

使用场所

- 脉冲,谐振,吸取电容 

- 高压,高频,高电流使用

- 汽车,OBC

 

特点

- 0.001μF ~ 4.7μF

- 630Vdc ~ 2000Vdc

- 低消耗,高频

- 高牢靠性打仗

- 车规级AEC-Q200D

- 低温>###h)

 

 

使用场所

- IGBT 模组掩护

 

特点

- 0.033μF ~ 4.0μF

- 850Vdc ~ 2000Vdc

- 低消耗,高电流,高频

- 高牢靠性打仗

 

 

 

 

 

 

使用场所

- IGBT 模组掩护

 

特点

- 0.01μF ~ 4.7μF

- 600Vdc ~ 3000Vdc

- 低消耗,高频

- 高牢靠性打仗

 

 

使用场所

- IGBT 模组掩护

 

特点

- 0.047μF ~ 4.7μF

- 850Vdc ~ 2000Vdc

- 低消耗,高频

- 高牢靠性打仗