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产品列表
吸取电容与IGBT/GTO在电路中并联利用，制止因电压渐变对IGBT/GTO形成毁伤。
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使用场所 - 脉冲，谐振，吸取电容 - 高压，高频，高电流使用
特点 - 0.001μF ~ 4.7μF - 630Vdc ~ 2000Vdc - 低消耗，高频 - 高牢靠性打仗
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使用场所 - 脉冲，谐振，吸取电容 - 高压，高频，高电流使用
特点 - 0.001μF ~ 4.7μF - 630Vdc ~ 2000Vdc - 低消耗，高频 - 高牢靠性打仗 - 低温>###h)
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使用场所 - 脉冲，谐振，吸取电容 - 高压，高频，高电流使用 - 汽车，OBC
特点 - 0.001μF ~ 4.7μF - 630Vdc ~ 2000Vdc - 低消耗，高频 - 高牢靠性打仗 - 车规级AEC-Q200D - 低温>###h)
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使用场所 - IGBT 模组掩护
特点 - 0.033μF ~ 4.0μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低消耗，高电流，高频 - 高牢靠性打仗
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使用场所 - IGBT 模组掩护
特点 - 0.01μF ~ 4.7μF - 600Vdc ~ 3000Vdc - 低消耗，高频 - 高牢靠性打仗
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使用场所 - IGBT 模组掩护
特点 - 0.047μF ~ 4.7μF - 850Vdc ~ 2000Vdc - 低消耗，高频 - 高牢靠性打仗
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