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关于防反接保护电路设计的讨论

发布时间:2021-08-12 01:34浏览次数:
本文摘要:防反相接维护电路 1,一般来说情况下直流电源输出防反相接维护电路是利用二极管的单向导电性来构建防反相接维护。如下图1必: 这种永久磁铁非常简单可信,但当输出大电流的情况下功耗影响是十分大的。以输出电流额定值超过2A,如搭配Onsemi的较慢完全恢复二极管MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗最少也要超过:Pd=2A0.7V=1.4W,这样效率较低,发热量大,要加散热器。 2,另外还可以用二极管桥对输出做到整流,这样电路就总有一天有准确的极性(图2)。

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防反相接维护电路  1,一般来说情况下直流电源输出防反相接维护电路是利用二极管的单向导电性来构建防反相接维护。如下图1必:  这种永久磁铁非常简单可信,但当输出大电流的情况下功耗影响是十分大的。以输出电流额定值超过2A,如搭配Onsemi的较慢完全恢复二极管MUR3020PT,额定管压降为0.7V,那么功耗最少也要超过:Pd=2A0.7V=1.4W,这样效率较低,发热量大,要加散热器。

  2,另外还可以用二极管桥对输出做到整流,这样电路就总有一天有准确的极性(图2)。这些方案的缺点是,二极管上的压降不会消耗能量。

输出电流为2A时,图1中的电路功耗为1.4W,图2中电路的功耗为2.8W。  图1一只串联二极管维护系统不不受偏移极性影响,二极管有0.7V的压降  图2是一个桥式整流器,不论什么极性都可以长时间工作,但是有两个二极管导通,功耗是图1的两倍.  利用MOS管的电源特性,控制电路的导通和折断开来设计防反相接维护电路,由于功率MOS管的内阻较小,解决问题了现有使用二极管电源防反相接方案不存在的压降和功耗过大的问题。

  MOS管型防反相接维护电路  图3利用了MOS管的电源特性,控制电路的导通和折断开来设计防反相接维护电路,由于功率MOS管的内阻较小,现在MOSFETRds(on)早已需要做毫欧级,解决问题了现有使用二极管电源防反相接方案不存在的压降和功耗过大的问题。  极性反接维护将维护用场效应管与被维护电路串联相连。维护用场效应管为PMOS场效应管或NMOS场效应管。

若为PMOS,其栅极和源近于分别相连被维护电路的短路末端和电源末端,其溢近于相连被维护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS,其栅极和源近于分别相连被维护电路的电源末端和短路末端,其溢近于相连被维护电路中NMOS元件的衬底。

一旦被维护电路的电源极性反接,维护用场效应管不会构成断路,避免电流焚毁电路中的场效应管元件,维护整体电路。  明确N闸极MOS管防反相接维护电路电路如图3必。  图3.NMOS管型防反相接维护电路  N闸极MOS管通过S管脚和D管脚串联于电源和阻抗之间,电阻R1为MOS管获取电压偏置,利用MOS管的电源特性控制电路的导通和插入,从而避免电源反接给阻抗带给损毁。正接时候,R1获取VGS电压,MOS饱和状态导通。

反接的时候MOS无法导通,所以起着防反相接起到。功率MOS管的Rds(on)只有20m实际损耗较小,2A的电流,功耗为(22)0.02=0.08W显然不必另加散热片。解决问题了现有使用二极管电源防反相接方案不存在的压降和功耗过大的问题。

  VZ1为稳压管避免栅源电压过低穿透mos管。NMOS管的导通电阻比PMOS的小,最差中选NMOS。  NMOS管接在电源的负极,栅极高电平导通。  PMOS管接在电源的负极,栅极低电平导通。


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